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参数目录39402
> NE85639R-T1-A TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R
型号:
NE85639R-T1-A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
CEL
描述:
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NE85639R-T1-A PDF
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
频率 - 转换
9GHz
噪声系数(dB典型值@频率)
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
增益
13.5dB
功率 - 最大
200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-143R
供应商设备封装
SOT-143R
包装
带卷 (TR)
其它名称
NE85639R-ATR
查看NE85639R-T1-A代理商
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